二极管506 ds-asemi asemi
ASEMI代理NXP快恢复功率二极管BYC30W-600P参数
编辑-Z BYC30W-600P参数描述： 型号：BYC30W-600P 重复峰值反向电压VRRM：600V 峰值工状向电压VRWM：600V 反向电压VR：600V 平均正向电流IF：30A 正向电压VF：1.38V 反向恢复时间trr：18ns 正向重复峰值电流IFRM：60A 非重复峰值正向电 ......
ASEMI代理安森美MOS管FQL40N50参数，FQL40N50描述
编辑-Z FQL40N50参数描述： 型号：FQL40N50 漏源电压VDSS：500V 漏极电流ID：40A 漏极电流-脉冲IDM：160A 栅极-源极电压VGSS：±30V 功耗PD：460W 操作和储存温度范围TJ, TSTG：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流IDSS：1uA 栅极 ......
MUR80100PT-ASEMI大电流快恢复二极管MUR80100PT
编辑：ll MUR80100PT-ASEMI大电流快恢复二极管MUR80100PT 型号：MUR80100PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 正向电流：80A 反向耐压：1000V 浪涌电流：600A 恢复时间：35ns 工作温度：-50°C~150°C 引脚数量：3 类型：快恢复二极管 特 ......
MUR8060PT-ASEMI大电流快恢复二极管80A 600V
编辑：ll MUR8060PT-ASEMI大电流快恢复二极管80A 600V 型号：MUR8060PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 正向电流：80A 反向电压：600V 引脚数量：2 恢复时间：22ns 正向压降：1.8V 类型：快恢复二极管 特性：超快恢复二极管、功率二极管 工作温度：- ......
ASEMI代理艾赛斯IXFA14N85XHV功率MOSFET综合指南
编辑-Z 在当今世界，电力电子在各种应用中发挥着至关重要的作用，从电源和电机驱动到电动汽车和可再生能源系统。这些应用中的关键部件之一是功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。IXFA14N85XHV是一款先进的功率MOSFET，具有高性能、高可靠性和高效率。在本综合指南中，我们将探讨IXF ......
ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q，IXFH4N100Q参数
编辑-Z IXFH4N100Q参数描述： 型号：IXFH4N100Q VDSS：1000V VDGR：1000V VGS：±20 ID25：4A IDM：16A PD：150W TJ，Tstg：-55 to +150℃ Weight：6g VGS(th)：5V IGSS：±100 nA IDSS：5 ......
FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50
编辑：ll FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50 型号：FQL40N50 品牌：ON/安森美 封装：TO-264 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：110mΩ 引脚数量：3 工作温度：-55℃~150℃ 沟道类型：N沟道MOS管、高压M ......
BYC30W-600P-ASEMI代理NXP快恢复二极管BYC30W-600P
编辑：ll BYC30W-600P-ASEMI代理NXP快恢复二极管BYC30W-600P 型号：BYC30W-600P 品牌：NXP/恩智浦 封装：TO-247-2L 最大漏源电流：30A 漏源击穿电压：600V 引脚数量：2 恢复时间：22ns 正向压降：1.8V 类型：快恢复二极管 特性：超快 ......
了解ASEMI代理英飞凌TLE6208-6G其功能和应用的综合指南
编辑-Z TLE6208-6G是一款高度集成、通用且高效的汽车半桥驱动器，由英飞凌设计。这种功能强大的设备专门设计用于满足汽车应用的苛刻要求，如控制直流电机、螺线管和电阻负载。在本文中，我们将深入研究TLE6208-6G的功能、优点和应用，并探讨它如何提高各种汽车系统的性能和效率。 TLE6208- ......
ASEMI代理英飞凌TLE7244SL功率电子开关，TLE7244SL参数
编辑-Z TLE7244SL参数描述： 型号：TLE7244SL 数字电源电压VDD：3.0 V ~ 5.5 V 模拟电源电压VDDA：4.5 V ~ 5.5 V 每个通道在Tj=150°C时的最大导通状态电阻RDS(ON,max)：1.7 Ω 额定负载电流IL (nom)：290 mA 过载关断阈 ......
IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q
编辑：ll IXFH4N100Q-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q 型号：IXFH4N100Q 品牌：IXYS/艾赛斯 封装：TO-247 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：1000V RDS（ON）Max：3Ω 引脚数量：3 工作温度：-55℃~150℃ 沟道类型：N沟道MOS管、 ......
IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV
编辑：ll IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV 型号：IXFA14N85XHV 品牌：IXYS/艾赛斯 封装：TO-263 最大漏源电流：14A 漏源击穿电压：850V RDS（ON）Max：550mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 特性：高功率 ......
ASEMI代理英飞凌TLE4250-2G汽车级线性稳压器
编辑-Z TLE4250-2G参数描述： 型号：TLE4250-2G 输入电压VI：45V 输出电压VQ：40V 结点温度Tj：-40~ 150℃ 储存温度Tstg：-50~150℃ 输出电容器要求CQ：1µF 连接到焊接点RthJSP：30K/W 电源纹波抑制PSRR：48dB 输出电流限制IQ, ......
ASEMI代理英飞凌TLD5097EL：理解和使用LED驱动器的综合指南
编辑-Z TLD5097EL是一款创新的LED驱动器，在照明行业掀起了波澜。这项先进的技术提供了广泛的好处，包括提高能源效率、延长使用寿命和增强性能。在本综合指南中，我们将探讨TLD5097EL的功能和优点，并提供如何有效利用该LED驱动器优化照明解决方案的提示。 什么是TLD5097EL？ TLD ......
TLE6208-6G-ASEMI代理英飞电机驱动芯片TLE6208-6G
编辑：ll TLE6208-6G-ASEMI代理英飞电机驱动芯片TLE6208-6G 型号：TLE6208-6G 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：SOP-28 类型：LED驱动、汽车芯片 TLE6208-6G产品概述 TLE 6208-6 G是一款完全保护的六角半桥驱动器，专为汽车和工业运动 ......
TLE4250-2G-ASEMI代理英飞凌汽车芯片TLE4250-2G
编辑：ll TLE4250-2G-ASEMI代理英飞凌汽车芯片TLE4250-2G 型号：TLE4250-2G 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：SCT-595-5 特性：驱动芯片、汽车芯片 温度范围-40°C~150°C 最大输入电压：-42 V~45 V TLE4250-2G产品特性 50 ......
ASEMI代理英飞凌TDK5100F射频模块的性能与应用分析
编辑-Z 本文将对TDK5100F射频模块进行详细的介绍与分析，包括其性能特点、应用领域、使用方法。通过对这三个方面的阐述，希望能够帮助读者更好地了解TDK5100F射频模块的优势和应用场景。 1、TDK5100F射频模块的性能特点 TDK5100F射频模块是一款高性能的无线通信模块，具有以下几个显 ......
ASEMI代理英飞凌TLD2314EL参数，LED驱动器TLD2314EL
编辑-Z TLD2314EL参数描述： 型号：TLD2314EL 电源电压VS：40V 输出电压VOUTx：40V 状态电压VST：6V 输出电流IOUTx：130 mA 结温Tj：-40~ 150℃ 储存温度Tstg：-55~ 150℃ 正常工作的电源电压范围：5.5~40V 上电复位阈值VS(P ......
TLD5097EL-ASEMI代理英飞LED驱动TLD5097EL
编辑：ll TLD5097EL-ASEMI代理英飞LED驱动TLD5097EL 型号：TLD5097EL 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：SSOP-14-EP-150mil 类型：LED驱动、汽车芯片 TLD5097EL特性 输入电压范围宽，从4.5 V到45 V 极低关断电流：I q_OF ......
TLD2314EL-ASEMI代理英飞凌汽车芯片TLD2314EL
编辑：ll TLD2314EL-ASEMI代理英飞凌汽车芯片TLD2314EL 型号：TLD2314EL 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：SSOP-14-EP-150mil 特性：LED驱动、汽车芯片 宽温度范围：-40°C~150°C 封装：SSOP-14，带外露散热片 产品描述 TLD2 ......
ASEMI代理英飞凌SPW47N60C3功率MOS管的性能与应用
编辑-Z 本文将对SPW47N60C3功率MOSFET的性能与应用进行分析。我们将介绍SPW47N60C3的基本性能参数，然后从四个方面对其性能进行详细阐述，包括电气性能、热性能、封装与可靠性以及应用领域。 1、SPW47N60C3的基本性能参数 SPW47N60C3是一款高性能的功率MOSFET， ......
ASEMI代理英飞凌SPA17N80C3，MOS管SPA17N80C3资料
编辑-Z SPA17N80C3参数描述： 型号：SPA17N80C3 持续漏极电流ID：17A 脉冲漏极电流：51A 栅极-源极电压VGS：±20V 功率耗散Ptot：42W 操作和储存温度Tj,Tstg：-55~+150℃ 漏源击穿电压：800V 栅极阈值电压VGS(th)：3V 零栅极电压漏极电 ......
TLE7244SL-ASEMI代理英飞原装汽车芯片TLE7244SL
编辑：ll TLE7244SL-ASEMI代理英飞原装汽车芯片TLE7244SL 型号：TLE7244SL 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：SSOP-24-150mil 类型：电源负载开关 TLE7244SL特性 4个输入引脚，提供灵活的PWM配置 由专用引脚提供跛行回家功能（直接驾驶） 用 ......
TDK5100F-ASEMI代理英飞凌射频发射器TDK5100F
编辑：ll TDK5100F-ASEMI代理英飞凌射频发射器TDK5100F 型号：TDK5100F 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TSSOP-10-3mm 特性：射频器件 全集成频率合成器 无外部组件的VCO ASK和FSK调制 频率范围433-435 MHz 高效功率放大器（通常为5 ......
ASEMI代理英飞凌智能功率模块IKCM10H60GA
编辑-Z IKCM10H60GA参数描述： 型号：IKCM10H60GA 最大闭锁电压VCES：600V P-N的直流链路电源电压VPN：450V 输出电流IC：10A 最大峰值输出电流：16A 短路耐受时间tSC：5µs 每个IGBT的功耗Ptot：23.1W 工作接点温度范围TJ：-40~ 15 ......
ASEMI代理英飞凌IKW25N120T2功率晶体管介绍
编辑-Z 摘要：本文主要介绍IKW25N120T2功率晶体管的特点、应用领域、性能参数以及选型建议。 1、IKW25N120T2的特点 IKW25N120T2是一款N沟道MOSFET功率晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容等特点。此外，它还具有过温保护、过电流保护等功能，能够保证设备的安全 ......
IKCM10H60GA-ASEMI代理英飞凌功率模块IKCM10H60GA
编辑：ll IKCM10H60GA-ASEMI代理英飞凌功率模块IKCM10H60GA 型号：IKCM10H60GA 品牌：ASEMI 封装：DIP-24 正向电流：0.8A 反向电压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 浪涌电流：30A 包装方式：盘装 ......
IKW25N120T2-ASEMI代理英飞凌IGBT管IKW25N120T2
编辑：ll IKW25N120T2-ASEMI代理英飞凌IGBT管IKW25N120T2 型号：IKW25N120T2 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：IGBT管 正向电流：25A 反向耐压：1200V 引脚数量：3 芯片个数：1 包装方式：3000pcs/盘 特点：大功率IGBT管 工 ......
ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1中文资料
编辑-Z IMBF170R1K0M1参数： 漏源电压：1700V 直流漏极电流：5.2A 功率耗散：68W 工作结温：-55~175℃ 储存温度：-55~150℃ 漏极源导通状态电阻：1000mΩ 栅极-源极阈值电压：4.5V 输入电容：275pF MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N ......