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ASEMI代理英飞凌TDK5100F射频模块的性能与应用分析
编辑-Z 本文将对TDK5100F射频模块进行详细的介绍与分析，包括其性能特点、应用领域、使用方法。通过对这三个方面的阐述，希望能够帮助读者更好地了解TDK5100F射频模块的优势和应用场景。 1、TDK5100F射频模块的性能特点 TDK5100F射频模块是一款高性能的无线通信模块，具有以下几个显 ......
ASEMI代理英飞凌TLD2314EL参数，LED驱动器TLD2314EL
编辑-Z TLD2314EL参数描述： 型号：TLD2314EL 电源电压VS：40V 输出电压VOUTx：40V 状态电压VST：6V 输出电流IOUTx：130 mA 结温Tj：-40~ 150℃ 储存温度Tstg：-55~ 150℃ 正常工作的电源电压范围：5.5~40V 上电复位阈值VS(P ......
TLD5097EL-ASEMI代理英飞LED驱动TLD5097EL
编辑：ll TLD5097EL-ASEMI代理英飞LED驱动TLD5097EL 型号：TLD5097EL 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：SSOP-14-EP-150mil 类型：LED驱动、汽车芯片 TLD5097EL特性 输入电压范围宽，从4.5 V到45 V 极低关断电流：I q_OF ......
TLD2314EL-ASEMI代理英飞凌汽车芯片TLD2314EL
编辑：ll TLD2314EL-ASEMI代理英飞凌汽车芯片TLD2314EL 型号：TLD2314EL 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：SSOP-14-EP-150mil 特性：LED驱动、汽车芯片 宽温度范围：-40°C~150°C 封装：SSOP-14，带外露散热片 产品描述 TLD2 ......
ASEMI代理英飞凌SPW47N60C3功率MOS管的性能与应用
编辑-Z 本文将对SPW47N60C3功率MOSFET的性能与应用进行分析。我们将介绍SPW47N60C3的基本性能参数，然后从四个方面对其性能进行详细阐述，包括电气性能、热性能、封装与可靠性以及应用领域。 1、SPW47N60C3的基本性能参数 SPW47N60C3是一款高性能的功率MOSFET， ......
ASEMI代理英飞凌SPA17N80C3，MOS管SPA17N80C3资料
编辑-Z SPA17N80C3参数描述： 型号：SPA17N80C3 持续漏极电流ID：17A 脉冲漏极电流：51A 栅极-源极电压VGS：±20V 功率耗散Ptot：42W 操作和储存温度Tj,Tstg：-55~+150℃ 漏源击穿电压：800V 栅极阈值电压VGS(th)：3V 零栅极电压漏极电 ......
TLE7244SL-ASEMI代理英飞原装汽车芯片TLE7244SL
编辑：ll TLE7244SL-ASEMI代理英飞原装汽车芯片TLE7244SL 型号：TLE7244SL 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：SSOP-24-150mil 类型：电源负载开关 TLE7244SL特性 4个输入引脚，提供灵活的PWM配置 由专用引脚提供跛行回家功能（直接驾驶） 用 ......
TDK5100F-ASEMI代理英飞凌射频发射器TDK5100F
编辑：ll TDK5100F-ASEMI代理英飞凌射频发射器TDK5100F 型号：TDK5100F 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TSSOP-10-3mm 特性：射频器件 全集成频率合成器 无外部组件的VCO ASK和FSK调制 频率范围433-435 MHz 高效功率放大器（通常为5 ......
ASEMI代理英飞凌智能功率模块IKCM10H60GA
编辑-Z IKCM10H60GA参数描述： 型号：IKCM10H60GA 最大闭锁电压VCES：600V P-N的直流链路电源电压VPN：450V 输出电流IC：10A 最大峰值输出电流：16A 短路耐受时间tSC：5µs 每个IGBT的功耗Ptot：23.1W 工作接点温度范围TJ：-40~ 15 ......
ASEMI代理英飞凌IKW25N120T2功率晶体管介绍
编辑-Z 摘要：本文主要介绍IKW25N120T2功率晶体管的特点、应用领域、性能参数以及选型建议。 1、IKW25N120T2的特点 IKW25N120T2是一款N沟道MOSFET功率晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容等特点。此外，它还具有过温保护、过电流保护等功能，能够保证设备的安全 ......
IKCM10H60GA-ASEMI代理英飞凌功率模块IKCM10H60GA
编辑：ll IKCM10H60GA-ASEMI代理英飞凌功率模块IKCM10H60GA 型号：IKCM10H60GA 品牌：ASEMI 封装：DIP-24 正向电流：0.8A 反向电压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 浪涌电流：30A 包装方式：盘装 ......
IKW25N120T2-ASEMI代理英飞凌IGBT管IKW25N120T2
编辑：ll IKW25N120T2-ASEMI代理英飞凌IGBT管IKW25N120T2 型号：IKW25N120T2 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：IGBT管 正向电流：25A 反向耐压：1200V 引脚数量：3 芯片个数：1 包装方式：3000pcs/盘 特点：大功率IGBT管 工 ......
ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1中文资料
编辑-Z IMBF170R1K0M1参数： 漏源电压：1700V 直流漏极电流：5.2A 功率耗散：68W 工作结温：-55~175℃ 储存温度：-55~150℃ 漏极源导通状态电阻：1000mΩ 栅极-源极阈值电压：4.5V 输入电容：275pF MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N ......
ASEMI代理英飞凌IPA50R190CE，MOS管IPA50R190CE参数
编辑-Z IPA50R190CE参数描述： 型号：IPA50R190CE 持续漏极电流：24.8A 脉冲漏极电流：63A 栅极-源极电压：20V 功耗：32W 操作和储存温度：-40~150℃ 连续二极管正向电流：8.1A 漏源击穿电压：500V 栅极阈值电压：3V 零栅极电压漏极电流：1uA 漏极 ......
SPW47N60C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPW47N60C3
编辑：ll SPW47N60C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPW47N60C3 型号：SPW47N60C3 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-247 最大漏源电流：47A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：70mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL ......
SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3
编辑：ll SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3 型号：SPA17N80C3 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-220F 最大漏源电流：17A 漏源击穿电压：800V RDS（ON）Max：0.29Ω 引脚数量：3 特点 新的革命性高压技术 全球最佳RD ......
IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE
编辑：ll IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE 型号：IPA50R190CE 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-220F 最大漏源电流：24.8A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.19Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯 ......
IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IMBF170R1K0M1
编辑：ll IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1 型号：IMBF170R1K0M1 品牌：英飞凌 封装：TO-263 最大漏源电流：31A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：99mΩ 引脚数量：3 特点 革命性的半导体材料-碳化硅 针对飞回拓 ......
ASEMI单向可控硅BT169D参数，BT169D规格，BT169D大小
编辑-Z 单向可控硅BT169D参数： 型号：BT169D 断态重复峰值电压VDRM：600V 平均通电电流IT(AV)：0.6A R.M.S通电电流IT(RMS)：0.8A 通态浪涌电流ITSM：10A 平均栅极功耗PG(AV)：0.1W 峰值门功率耗散PGM：0.5W 工作接点温度Tj：-40~ ......
ASEMI代理KY可控硅BT169的工作原理及应用领域
编辑-Z 本文主要介绍了可控硅BT169的工作原理及其在各个领域的用。首先，我们将详细阐述可控硅BT169的工作原理，包括结构特点、工作过程等；其次，我们将探讨可控硅BT169在家用电器、工业控制、电力电子等领域的应用。 1、可控硅BT169的工作原理 可控硅BT169是一种三端双向可控硅，具有结构 ......
ASEMI单向可控硅BT151参数，BT151封装，BT151体积
编辑-Z 单向可控硅BT151参数： 型号：BT151 存储接点温度范围Tstg：-40~150℃ 工作接点温度范围Tj：-40~125℃ 断态重复峰值电压VDRM：650V 重复峰值反向电压VRRM：650V RMS导通电流IT(RMS)：12A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：120A 峰值栅极 ......
ASEMI双向可控硅BT137性能特点, BT137应用及购买指南
编辑-Z 本文将详细介绍可控硅BT137的性能特点、应用领域以及购买时需要注意的事项，帮助您更好地了解和选择BT137可控硅。 一、BT137可控硅简介 可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种四层三端半导体器件，具有高功率、高压、高温等优点，广泛应用于各 ......
BT169D-ASEMI单向可控硅BT169D参数、尺寸、规格
编辑：ll BT169D-ASEMI单向可控硅BT169D参数、尺寸、规格 型号：BT169D 品牌：ASEMI 封装：TO-92 正向电流：0.8A 反向电压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 浪涌电流：30A 包装方式：盘装 封装尺寸：如图 特性： ......
BT169-ASEMI代理KY控制器单向向可控硅BT169
编辑：ll BT169-ASEMI代理KY控制器单向向可控硅BT169 型号：BT169 品牌：ASEMI 封装：TO-92 特性：可控硅 正向电流：1A 反向耐压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流：40A 特点：单向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ ......
ASEMI代理长电可控硅BT136参数，BT136规格，BT136说明
编辑-Z 长电可控硅BT136参数： 型号：BT136 RMS通态电流IT(RMS)：6A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：25A 峰值栅极电流IGM：2A 平均栅极功耗PG(AV)：0.5W 存储接点温度范围Tstg：-40 to +150℃ 工作接点温度范围Tj：-40 to +125℃ 额定重 ......
ASEMI代理长电可控硅BT134的工作原理，BT134的应用领域
编辑-Z 本文将对可控硅BT134的工作原理及应用领域进行详细阐述。首先，我们将介绍可控硅BT134的基本概念和工作原理；其次，我们将探讨可控硅BT134在电力电子领域的应用；接着，我们将分析可控硅BT134在家用电器中的应用；最后，我们将讨论可控硅BT134在工业自动化领域的应用。 1、可控硅BT ......
BT151-ASEMI单向可控硅BT151参数、尺寸、规格
编辑：ll BT151-ASEMI单向可控硅BT151参数、尺寸、规格 型号：BT151 品牌：ASEMI 封装：TO-252 正向电流：12A 反向电压：650V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 浪涌电流：30A 包装方式：盘装 封装尺寸：如图 特性：单向可 ......
BT137-ASEMI双向可控硅BT134参数、尺寸、规格
编辑：ll BT137-ASEMI双向可控硅BT134参数、尺寸、规格 型号：BT137 品牌：ASEMI 封装：TO-220 特性：可控硅 正向电流：8A 反向耐压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流：40A 特点：双向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ ......
ASEMI代理韦达可控硅2P4M参数，2P4M图片，2P4M大小
编辑-Z 韦达可控硅2P4M参数： 型号：2P4M 断态重复峰值电压VDRM：600V 重复峰值反向电压VRRM：600V RMS导通电流IT(RMS)：2A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：20A 平均栅极功耗PG(AV)：0.1W 峰值栅极功率PGM：0.5W IGT：50μA VGT：0.6V ......