电平 三极管 电路
模拟集成电路设计系列博客——3.1.1 偏置电路
3.1.1 偏置电路 在一个模拟集成电路中，许多子电路协同工作来产生所有的直流电压和电流，这些子电路模块包括了偏置电路，参考电路和稳压器。一个偏置电路能够产生直流电压，控制晶体管在一些想要的工作点附近。由于晶体管参数在不同的芯片，不同的温度下改变，偏置电压也得随之变化。参考电路产生固定值的电压与/或 ......
MBR60100PT-ASEMI肖特基二极管MBR60100PT参数
编辑：ll MBR60100PT-ASEMI肖特基二极管MBR60100PT参数 型号：MBR60100PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 恢复时间：＞50ns 正向电流：60A 反向耐压：100V 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：肖特基、插件肖特基二极管 特性：低耐压、高效率 浪涌电流： ......
/sys/class/gpio/连续读取gpio引脚电平有问题的原因
一、通过shell命令读取引脚电平值 /sys/class/gpio/目录下的内容 可以向export写入相应引脚输出来导出gpio, 例如 echo 66 > export 进入gpio66下，读取value的值即为gpio输入的值（默认为输入） 二、通过C程序读取引脚电平值 程序： int ma ......
带隙基准源电路
最后修改日期：2023/10/17 简介 温度对电源的影响 半导体受温度的影响很明显，因此温度的变化会使得电源的输出电压变化，称为温度漂移（温漂）。 限制温度的影响 如果想要限制温度对电源的影响，一个思路就是：找到与温度正相关、负相关的电路，将二者的电压以合适的权重相加（线性电路满足叠加原理），这样 ......
4种过压保护电路讲解，过压保护原理+过压保护电路原理+过压保护电路构建，通俗易懂
大家好，我是李工，创作不易，希望大家多多支持我。今天给大家分享的是：过压保护、过压保护原理、过压保护电路。 一、过压保护是什么意思？ 过压保护是一种电源功能，当输入电压超过预设值时会切断电源，为了防止高压浪涌，通常会一些过压保护方法。 大多数电源都使用过电压保护电路来防止损坏电子元件。过电压条件的影 ......
模拟集成电路设计系列博客——2.4.5 共模反馈
2.4.5 共模反馈 典型情况下，将全差分放大器用在反馈应用中时，反馈决定了差分信号的电压，但是不能影响共模电压。因此必须要增加一个额外的电路来决定输出共模电压并控制器等于某个固定的电压，一般是电源电压的一半。这个电路就称为共模反馈电路（common-mode feedback, CMFB）一般是全 ......
模拟集成电路设计系列博客——2.4.4 低压全差分放大器
2.4.4 低压全差分放大器 低供电电压使得放大器的设计变得显著复杂很多。输入共模电压必须限制在一个非常紧的范围内，来确保输入差分对的尾电流源保持在饱和区。例如考虑之前讨论过的全差分折叠Cascode放大器，并假定一个普通NMOS晶体管作为尾电流源\(I_{bias}\)，输入共模电压必须大于\(V ......
模拟集成电路设计系列博客——2.4.3 全差分电流镜放大器
2.4.3 全差分电流镜放大器 全差分电流镜放大器的结构如下图所示，和全差分折叠Cascode放大器一样，这个设计也可以用互补设计的方法来实现，即使用p管作为输入晶体管，n沟道电流镜和p沟道偏置电流源。哪种设计更受欢迎主要取决于负载电容或者等效第二极点是否收到了带宽的限制，以及最大化低频增益或者带宽 ......
MBR10100CT-ASEMI肖特基二极管MBR10100CT
编辑：ll MBR10100CT-ASEMI肖特基二极管MBR10100CT 型号：MBR10100CT 品牌：ASEMI 芯片个数：2 封装：TO-220 恢复时间：＞50ns 工作温度：-65°C~175°C 浪涌电流：150A 正向电流：10A 反向耐压：100V 正向压降：0.8V 引脚数量 ......
数字电路硬件设计系列（十七）之上电时序控制电路
1 简介 上电时序，也叫做Power-up Sequence，是指电源时序关系。下面就是一系列电源的上电的先后关系： 2 方案介绍 2.1 电容实现延时 采用不同的电容来控制上电延时时间的长短，具体的电路见下图： 这种上电时序控制的方式，电路结构简单，但是延时时间难以精确的控制。在FPGA的电源时序 ......
模拟集成电路设计系列博客——2.4.2 全差分折叠Cascode放大器
2.4.2 全差分折叠Cascode放大器 下图展示了一个简化的全差分折叠Cascode放大器。使用两个Cascode电流源来取代之前介绍的结构中的n沟道电流镜，并增加了一个共模反馈电路。这些电流源的驱动晶体管的栅压由共模反馈电路的输出电压\(V_{cntrl}\)决定。共模反馈电路的输入是全差分放 ......
电路术语记录
常规电路术语 1、 MOS和BJT的区别： 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理和应用方面存在明显的区别。 以下是MOSFET和BJT之间的主要区别： 结构： MOS ......
模拟集成电路设计系列博客——2.4.1 全差分放大器的基本结构
2.4.1 全差分放大器的基本结构 对于电路来说，处理单端信号和差分信号的区别往往很小。比如下图中比较了全差分对电路和单端输出差分对。他们之间的唯一区别是在全差分电路中电流镜负载被两个匹配的电流源取代。需要注意在两个电路中功耗实际上是一样的。由于单个节点上的电压摆幅往往被固定的供电和偏置电压限制，全 ......
模拟集成电路设计系列博客——2.3 电流镜放大器
模拟集成电路设计 2.3 电流镜放大器 2.3 电流镜放大器 另一个在驱动片上容性负载时常用的放大器是电流镜放大器，其简化图如下所示： 通过使用高输出阻抗的合理的电流镜结构，能够使得整体增益变得相当可观。下图展示了一个电流镜放大器的细节结构： 整体的传输函数可很近似于单极点系统，我们使用分析折叠Ca ......
过温保护动作不恢复，重新上电再次恢复电路设计
设计来源： 医疗设备整改，原有设备不满足法规《YY 0648-2008测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第2-101-部分体外诊断(IVD)医用设备的专用要求》的14.3过温保护装置应不是自动复位的。增加“过温保护电路”。 设计原理图： 电路原理： 上电A点低电平使得Q2基极低电平，Q2导通使得 ......
模拟集成电路设计系列博客——2.2.3 折叠Cascode放大器的摆率
2.2.3 折叠Cascode放大器的摆率 两个二极管接法的晶体管\(Q_{12}\)和\(Q_{13}\)在正常工作时截止，对于放大器的工作几乎没有影响。但是他们能共有效的提升数倍摆率[Law, 1983]。为了理解他们的功能，首先考虑没有这两个晶体管时的摆率限制。假定有一个很大的输入差分电压导致 ......
模拟集成电路设计系列博客——2.2.2 折叠Cascode放大器的小信号分析
2.2.2 折叠Cascode放大器的小信号分析 在折叠Cascode放大器的小信号分析中，差分对\(Q_1\)和\(Q_2\)的漏极流出的差分输出电流施加到了负载电容\(C_L\)上。具体来说，\(Q_1\)流出的小信号电流直接通过源极留到\(Q_6\)的漏极然后再到\(C_L\)，而来自\(Q_ ......
低成本市电转低压直流电路分析
本次分析的电路，同样来源于技术交流群群友发的图，在此进行分析。 原理图如下，此电路是一个220V市电转5V直流的功能。 分析如下： 1. 当V1处于正半周，上正下负时，电流路径如红色箭头，C1、C2、C3被充电，C1、C2上正下负，C3左负右正，如下。 2. 当V1处于负半周，上负下正时，电流路径如 ......
一个高精度24位ADC芯片ADS1222的使用方法及参考电路程序成都控制器定制
前一段时间，在做单片机、PLC、电路板、控制器/箱、仪器仪表、机电设备或系统、自动化、工控、传感、数据采集、自控系统、控制系统，物联网，电子产品，软件、APP开发设计定制定做开发项目时，有要求用到24位的高精度ADC，用于对外部信号采集。 经查阅，初步获得一款满足要求的芯片：ADS1222，本文就介 ......
VCS代码保护+SOC中的复位电路+verdi生成部分原理图+verdi查看delta cycle+自定义的原语Primitives UDP+assert和cover+specify和路径延迟+参数三姐妹-parameter-localparam-specparam +时间单位和时间精度的打印
VCS代码保护 在新思公司的一些vip的实现中，一些代码进行了加密，导致无法查看源码，加密的方法也是使用新思的工具VCS。 在编译的命令行添加+protect选项，在代码前后加上编译指示，则生成对应的加密vp、svp文件，中间的部分被加密。 https://blog.csdn.net/woodhor ......
模拟集成电路设计系列博客——2.2.1 折叠Cascode放大器的基本结构
2.2.1 折叠Cascode放大器的基本结构 许多现代CMOS集成电路放大器设计仅用于驱动容性负载。由于驱动的是容性负载，放大器并不需要通过一个电压缓冲器来获得较低的输出阻抗。因此相比那些必须要驱动阻性负载的放大器，更可能获得更快的速度和更大的信号摆幅。而这些增长仅仅需要通过在驱动阻性负载的放大器 ......
MOS管防反接电路知识讲解
一：概述 电源的输入接口，为了防止误操作，将电源的正负极接反，对电路造成损坏，一般会进行防护，通常采用的方式如保险丝、二极管、mos管等方式进行防反。 二：方式介绍 1.保险丝保护 描述：很多常见的电子产品，拆开后可以看到电源部分加了保险丝，在电源接反时，电路中短路导致大电流从而熔断保险丝，起到保护 ......
模拟集成电路设计系列博客——2.1.5 两级放大器的系统失调电压
2.1.5 两级放大器的系统失调电压 在设计两级放大器时，如果设计者不加以注意，有可能会导致系统输入失调电压。实际上，这是许多应用在集成电路产品中的原型设计碰到的问题。为了搞清楚为什么有必要要保证没有系统输入失调电压，考虑如下图中的两级放大器，当输入差分电压为0时（即\(V_{in}^+=V_{in ......
模拟集成电路设计系列博客——2.1.4 两级放大器的摆幅
2.1.4 两级放大器的摆幅 放大器输出变化的最大速率受到其内部有限的偏置电流的限制，当放大器的输入变化过快时，放大器无法再在输入保持虚地，因此放大器会看到一个巨大的差分输入。放大器的输出随之以最大速率进行变化，称之为摆幅。在摆幅的限制下，放大器的响应是非线性的，其影响如下图所示： ![image- ......
关于闭环控制电路设计方法上的一点思考
闭环控制电路在实际设计中应用比较多，之所以需要闭环控制，就是需要应对系统外部的控制的。以下一些自己的感悟是《Operational Amplifier Speed and Accuracy Improvement》的读后感。就像有些时候，听到一首歌，一句诗，会给你一种“代入感”，就像很多人看电影听到 ......
ASEMI快恢复二极管MURD560的更换方法
编辑-Z 二极管MURD560是一种高速整流二极管，常见于电源电路和电机驱动器中。如果MURD560出现故障，需要进行修复或更换，以下是一些常见的方法： 1. 使用万用表测试二极管的正向导通电压和反向漏电流，确认是否正常。如果测量结果表明二极管正常，可以考虑检查其他元件或电路。 2. 使用烙铁将MU ......
ASEMI快恢复二极管SF506DS参数，SF506DS封装
编辑-Z SF506DS参数描述： 型号：SF506DS 最大直流反向电压VR：600V 最大工作峰值反向电压VRWM：420V 最大平均正向电流IF：5A 非重复正向浪涌电流IFSM：150A 操作和储存温度范围TJ ,TSTG：-55 to 150℃ 正向电压VF：1.7V 最大反向泄漏电流IR ......