MOS
SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3
编辑：ll SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3 型号：SPA17N80C3 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-220F 最大漏源电流：17A 漏源击穿电压：800V RDS（ON）Max：0.29Ω 引脚数量：3 特点 新的革命性高压技术 全球最佳RD ......
IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE
编辑：ll IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE 型号：IPA50R190CE 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-220F 最大漏源电流：24.8A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.19Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯 ......
IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IMBF170R1K0M1
编辑：ll IMBF170R1K0M1-ASEMI代理英飞凌MOS管IMBF170R1K0M1 型号：IMBF170R1K0M1 品牌：英飞凌 封装：TO-263 最大漏源电流：31A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：99mΩ 引脚数量：3 特点 革命性的半导体材料-碳化硅 针对飞回拓 ......
工程师必须掌握的 MOS 管驱动设计细节
一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接 ......
ASEMI代理英飞凌IPA65R650CE功率MOS管中文资料
编辑-Z IPA65R650CE是一款高性能功率晶体管，旨在满足现代电子应用日益增长的需求。这种先进的半导体器件提供了高效、低功耗和优异热性能的独特组合，使其成为广泛应用的理想选择，包括电源、电机驱动和可再生能源系统。 IPA65R650CE的主要功能 1.高压额定值：IPA65R650CE是一款6 ......
ASEMI代理Infineon英飞凌IPB64N25S3-20原厂MOS管
编辑-Z IPB64N25S3-20参数描述： 型号：IPB64N25S3-20 持续漏极电流：64A 脉冲漏极电流：256A 雪崩电流，单脉冲：27A 栅极-源极电压：±20V 功率耗散：300W 操作和储存温度：-55 to +175℃ 漏源击穿电压：250V 栅极阈值电压：3V 零栅极电压漏极 ......
IPB60R099CP-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R099CP
编辑：ll IPB60R099CP-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R099CP 型号：IPB60R099CP 品牌：英飞凌 封装：TO-263 最大漏源电流：31A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：99mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管 ......
IPB60R950C6-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R950C6
编辑：ll IPB60R950C6-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R950C6 型号：IPB60R950C6 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-263 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.95Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片 ......
MOS管选型
http://mp.ofweek.com/ee/a445693722706 https://blog.csdn.net/cocolistem1981/article/details/126818653 MOS管的转移特性曲线 可变电阻区：当满足Ugs>Ugs(th)，且Uds<Ugs-Ugs(th) ......
Oracle mos文档关于视图v$open_cursor中说法矛盾
Oracle mos文档关于视图v$open_cursor中矛盾说法 How to Monitor and tune Open and Cached Cursors (文档 ID 1430255.1)中指出： v$open_cursor shows cached cursors, not curre ......
MOS管常用效应
沟道长度调制效应（channel length modulation） 短沟道情况， 沟道长度调制效应越明显，λ越小，Id越大 MOS晶体管中，栅下沟道预夹断后，若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动，导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹 ......
高压MOS管尖峰电流的来源
做电源的都测试过流过高压MOS的电流波形,总会发现电流线性上升之前会冒出一个尖峰电流,并且有个时候甚至比正常的峰值电流还要高。看起来很不爽。那这尖峰怎么来的，如何减小它呢？ 一、此电流尖峰对电源的害处1、就是由于这个尖峰的存在,开关电源芯片为了防止误触发加入了前沿消隐,如果太高还是有可能误触发。2、 ......
mos管用作其他元件接法
MOS管做电容 若MOSFET的GSD短接，可以做什么器件用？其高频C-V特性如何？ - 知乎 (zhihu.com) 独立元件的话衬底一般是短接到源的，没有引出，这样接完全没用。 独立元件虽然有用PN结做varactor的，但是用的是diode，不是用MOS结构（反正只要个PN结，做MOS不是浪费 ......
MOS管的主要参数介绍
https://baijiahao.baidu.com/s?id=1685770004443976455&wfr=spider&for=pc 在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯 ......
MOS管工作原理
MOS管的结构： 如下图所示，N沟道增强型MOS管的结构示意图。它以低掺杂的P型硅材料作衬底，在上面制造两个高掺杂的N型区，分别引出两个电极，作为源极s和漏极d，在P型衬底的表面覆盖一层很薄的氧化膜(二氧化硅)绝缘层，并引出电极作为栅极g。这种场效应管的栅极g和P型半导体衬底、漏极d及源极s之间都是 ......
20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60
编辑：ll 20N60-ASEMI高压N沟道MOS管20N60 型号：20N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.42Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管 ......
10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65
编辑：ll 10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65 型号：10N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.9Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装 ......